各二級單位,，機關(guān)及直屬各部門：

上海市科委發(fā)布《2024年度“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路領(lǐng)域基礎(chǔ)研究項目指南的通知》,。具體通知如下：

一,、征集范圍

專題一、先進光刻

方向1：面向穩(wěn)定高功率極紫外光源生成的加速器參數(shù)自優(yōu)化研究

方向2：極紫外光源光束穩(wěn)定性監(jiān)測與調(diào)節(jié)研究

方向3：極紫外光刻膠二次電子反應(yīng)動力學(xué)研究

方向4：BEUV光源研究

方向5：基于多場調(diào)控的深紫外超分辨光刻研究

方向6：高分辨共聚物的精準(zhǔn)合成與自組裝研究

方向7：高分辨周期性共聚物微相分離退火研究

方向8：柱狀相共聚物分離膜的分離機制研究

專題二,、未來芯片

方向1：基于低維材料的存算一體電路和芯片設(shè)計方法研究

方向2：存算融合的大模型訓(xùn)推一體架構(gòu)與芯片研究

方向3：基于AI的三維空間計算處理器系統(tǒng)研究

方向4：三維鐵電疇壁存儲器研究

方向5：邊緣光計算研究

方向6：高精度光子高速張量卷積計算研究

方向7：神經(jīng)形態(tài)學(xué)光信息存儲和處理研究

方向8：超寬帶光電子調(diào)制與接收機理研究

方向9：高速無損光交換架構(gòu)與動態(tài)重構(gòu)機制研究

方向10：薄膜鈮酸鋰非線性光子學(xué)研究

方向11：硅基二維材料異質(zhì)集成研究

專題三,、先進器件與材料

方向1：二維材料低缺陷大面積生長研究

方向2：鉿基薄膜極化機制和k值提升研究

方向3：鈣鈦礦氧化物高介電常數(shù)材料與工藝研究

方向4：基于ALD工藝的鉿基鐵電材料表征與器件性能提升研究

專題四、面向集成電路的人工智能應(yīng)用

方向1：面向集成電路前道量檢測成像的語義分割大模型研究

方向2：面向先進硅基器件的人工智能建模及參數(shù)優(yōu)化研究

方向3：面向?qū)蜃越M裝工藝的大語言模型研究

專題五,、先進EDA工具

方向1：面向2.5D/3D集成的先進封裝材料及器件寬頻段,、寬溫區(qū)表征研究

方向2：三維集成芯片布局布線EDA算法研究

方向3：面向2.5D+3D集成的電磁-熱-應(yīng)力多物理仿真研究

方向4：基于多智能體強化學(xué)習(xí)的集成電路設(shè)計優(yōu)化研究

二、申報方式

每個研究方向?qū)W校限額1項,，請各二級單位于10月10日11點前提交本部門預(yù)申報名單及方向,。如遇超項，學(xué)校將組織校內(nèi)遴選,。網(wǎng)上填報校內(nèi)截止時間為2024年10月19日16:30,。

科研處

2024.9.19