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上海市2024年度“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”超導(dǎo)領(lǐng)域技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目申報(bào)通知

發(fā)布時(shí)間:2024-09-15 供稿:科研處 分享至:

各二級單位,,機(jī)關(guān)及直屬各部門:

上海市科委發(fā)布《上海市2024年度“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”超導(dǎo)領(lǐng)域技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目申報(bào)指南的通知》。具體通知如下:

一,、征集范圍

  專題一,、超導(dǎo)材料技術(shù)(企業(yè)牽頭)

  方向1:基于離子輻照的超導(dǎo)帶材強(qiáng)場性能提升技術(shù)研究

  方向2:強(qiáng)場動(dòng)態(tài)磁體用超導(dǎo)帶材性能提升技術(shù)研究

  方向3:大尺寸超導(dǎo)靶材批量化制備技術(shù)研究

專題二,、超導(dǎo)磁體技術(shù)

  方向4:高溫超導(dǎo)中心螺線管模型磁體交流損耗特性研究

  研究目標(biāo):厘清高溫超導(dǎo)中心螺線管磁體交流損耗形成機(jī)制,研制聚變用模型磁體,,20K下最高磁場>10T,,自場磁體變化率>3T/s,背景磁場變化率>0.15T/s,,新型結(jié)構(gòu)磁體交流損耗下降70%以上,。

  研究內(nèi)容:開展高溫超導(dǎo)聚變中心螺線管模型磁體的電磁特性模擬與結(jié)構(gòu)綜合優(yōu)化,獲取磁體核心工藝窗口并試制模型磁體,,研究磁體交流損耗形成機(jī)制,,搭建交流損耗測試平臺并進(jìn)行驗(yàn)證。

  經(jīng)費(fèi)額度:非定額資助,,擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目,,資助額度不超過500萬元。

  執(zhí)行期限:2024年12月1日至2026年11月30日,。

  方向5:20K溫區(qū)高效制冷機(jī)技術(shù)研究

研究目標(biāo):開展20K溫區(qū)制冷機(jī)研制,,實(shí)現(xiàn)單臺制冷量>50W、比卡諾效率>8.5%,、無故障運(yùn)行時(shí)間>10000小時(shí),,制備樣機(jī)并開展應(yīng)用驗(yàn)證。

  研究內(nèi)容:研究20K制冷循環(huán)損失機(jī)理,、高效優(yōu)化設(shè)計(jì)策略,、故障和失效模式以及長壽命保障措施,研制20K制冷機(jī)并開展應(yīng)用驗(yàn)證。

  經(jīng)費(fèi)額度:非定額資助,,擬支持不超過2個(gè)項(xiàng)目,,每項(xiàng)資助額度不超過200萬元。

  執(zhí)行期限:2024年12月1日至2026年11月30日,。

 專題三,、超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)

  方向6:大尺寸高溫超導(dǎo)薄膜生長技術(shù)及其應(yīng)用器件研究

  研究目標(biāo):研究高溫超導(dǎo)薄膜磁控濺射法生長技術(shù)(尺寸≥2英寸、厚度5-70nm,、表面粗糙度≤2nm,、JC≥2 MA/cm2@77K),制備高溫超導(dǎo)SQUID器件(噪聲≤50 fT/Hz1/2)并測試驗(yàn)證,。

  研究內(nèi)容:研究高溫超導(dǎo)薄膜磁控濺射生長工藝及薄膜品質(zhì)的構(gòu)效關(guān)系,,揭示薄膜物性與超導(dǎo)電子器件性能之間的關(guān)聯(lián),進(jìn)而研制高溫超導(dǎo)量子干涉器件,,并開展物探測試驗(yàn)證,。

  經(jīng)費(fèi)額度:非定額資助,擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目,,資助額度不超過200萬元,。

  執(zhí)行期限:2024年12月1日至2026年11月30日。

  方向7:面向鎂合金形變熱處理的高溫超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)研究

  研究目標(biāo):面向航天裝備輕量化需求,,開發(fā)基于3T高溫超導(dǎo)磁感應(yīng)的鎂合金快速均勻熱輸入裝置,,研究高溫超導(dǎo)形變熱處理技術(shù),制備大尺寸高性能鎂合金鍛件,。

  研究內(nèi)容:優(yōu)化大體積鎂合金的均勻快速熱輸入裝置設(shè)計(jì),,調(diào)控高溫超導(dǎo)強(qiáng)磁場環(huán)境,研究微觀組織結(jié)構(gòu)形成與演化規(guī)律及其對力學(xué)性能的作用機(jī)制,,研制直徑>800mm,、抗拉強(qiáng)度>450MPa的高性能鎂合金鍛件。

  經(jīng)費(fèi)額度:非定額資助,,擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目,,資助額度不超過200萬元。

  執(zhí)行期限:2024年12月1日至2026年11月30日,。

二,、申報(bào)方式

1.項(xiàng)目采用網(wǎng)上申報(bào)方式,無需送交紙質(zhì)材料,。申請人通過“中國上?!遍T戶網(wǎng)站(http://www.sh.gov.cn)--政務(wù)服務(wù)--點(diǎn)擊“上海市財(cái)政科技投入信息管理平臺”進(jìn)入申報(bào)頁面,或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進(jìn)入申報(bào)頁面:

【初次填寫】使用申報(bào)賬號登錄系統(tǒng),,轉(zhuǎn)入申報(bào)指南頁面,,點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題后,,按提示完成“上海科技”用戶賬號綁定,,再進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)(我校學(xué)校代碼為42502641-7),;

【繼續(xù)填寫】登錄已注冊申報(bào)賬號、密碼后繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào),。

有關(guān)操作可參閱在線幫助,。

2.項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時(shí)間為2024年9月25日9:00,校內(nèi)申報(bào)截止時(shí)間為為2024年10月15日11:30,。

科研處

2024年9月14日

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